TMS320VC5509的二次引导加载方法
来源:全民业务网 作者:不详
引 言
在嵌入式系统中,微处理器的运行程序通常保存在其内部或外部非易失性存储器(如EPROM、EEPROM或Flash)中。对中低速的微处理器来说,系统运行时程序可直接从非易失性存储器读取并解释执行;对高速微处理器来说,非易失性存储器的读取速度较低,不能满足系统运行时程序代码直接读取的要求,需采用引导加载(Boot-load)方式将程序代码从低速非易失性存储器中加载到高速的存储器(如SRAM或DRAM)中,系统运行时直接从高速存储器中读取程序代码,实现系统的高速运行。因此引导加载是高速微处理器系统的关键技术之一。
1 DSP上电加载分析
TMS320VC5509(简称“5509”)是TI公司的一款高性能、低功耗的定点数字信号处理芯片。5509片内具有128K字高速静态RAM,内部只读ROM中固化了引导加载程序(Bootloader)。5509支持多种引导加载方式,上电复位之后,片内引导程序根据不同的加载方式完成加载。5509引导表格式如图1所示。

从引导表的格式可以看出,引导加载程序首先读入双字程序入口地址,然后读入需要修改的寄存器数,接着是寄存器地址以及赋值,再读入段字节数、段起始地址以及段内容,引导表以读入双字的O值为结束,读完引导表后跳转到加载程序入口执行。不论以何种方式加载,只是读入的方式不同,引导表的格式不变。
下面分别针对固化引导程序中的并行加载方式(16位)以及串行加载方式(16位SPI接口EEPROM),来分析DSP上电加载可能遇到的问题。
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